電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明

• Project/Area Number: 24K01361
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 三浦 清貴 京都大学, 工学研究科, 教授 (60418762)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 清水 雅弘 京都大学, 工学研究科, 助教 (60704757)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥17,550,000 (Direct Cost: ¥13,500,000、Indirect Cost: ¥4,050,000); Fiscal Year 2026: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000); Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000); Fiscal Year 2024: ¥13,780,000 (Direct Cost: ¥10,600,000、Indirect Cost: ¥3,180,000)
• Keywords: 半導体単結晶 / 塑性変形

Outline of Research at the Start

本研究は、半導体単結晶の電気塑性効果とも呼べる現象の詳細を明らかにすることを目的とし、転移形成速度や転移密度の分布等に関する各種変形条件下での実験データと、外部電場下でのミクロな変形挙動のシミュレーション結果とを相補的に解析することで、通電効果を含めた低温変形メカニズムの詳細について検討する。半導体材料における電気塑性効果とも呼べる現象を明らかにした既報はなく、学術的に未踏の領域を開拓することで、半導体単結晶のモールド成型（ナノインプリント含む）という新しい技術の創成を目指す。