Improvement of hetero epitaxial growth using graphene

• Project/Area Number: 24K01365
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: Meijo University
• Principal Investigator: 成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487) ; 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; 丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2028: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000); Fiscal Year 2027: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000); Fiscal Year 2026: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000); Fiscal Year 2025: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000); Fiscal Year 2024: ¥7,540,000 (Direct Cost: ¥5,800,000、Indirect Cost: ¥1,740,000)
• Keywords: ヘテロエピタキシャル成長 / グラフェン / 転位低減 / リモートエピタキシー / 半導体

Outline of Research at the Start

本研究課題では、上下方向に結合を持たない2次元材料であるグラフェンをキーマテリアルとして使用し、高品質なヘテロエピタキシャル成長を可能とする新規成長技術を開拓する。さらに、新規エピタキシャル成長技術で作製した高品質なテンプレート基板を利用し、従来では実現が難しかった高輝度光源ならびにGaN無転位自立基板の作製をめざす。グラフェンをエピタキシャル成長に利用するリモートエピタキシーは新たな結晶成長技術として有名となったが、マスク材、相互拡散防止膜、剥離層への応用も含め総合的にグラフェンとヘテロエピタキシャル成長を関係づける研究は他になく、学術的独自性ならびに高い創造性を本研究課題は持つ。