超高輝度ファイバーレーザー励起中赤外チャープパルス増幅システムの探索

Research Project

Project/Area Number	24K01378
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30020:Optical engineering and photon science-related
Research Institution	The University of Electro-Communications
Principal Investigator	戸倉川正樹電気通信大学, レーザー新世代研究センター, 准教授 (80728246)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000) Fiscal Year 2026: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000) Fiscal Year 2025: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000) Fiscal Year 2024: ¥7,020,000 (Direct Cost: ¥5,400,000、Indirect Cost: ¥1,620,000)
Keywords	高輝度中赤外レーザー
Outline of Research at the Start	波長2um以上の中赤外レーザーは産業および学術応用から高出力化が望まれている.特に波長2．1um帯Hoレーザーは1.9 um帯Tmファイバーレーザーを励起光源とした高効率動作が可能であることから大きな注目を集めている．しかしその設計概念は現在主流の半導体レーザー励起の波長1 umYbレーザーシステムに強く影響を受けている．本研究では半導体レーザー励起システムの固定観念を捨てた，超高輝度なTmファイバーレーザー励起に最適化された新規Ho媒質を用いた波長2.1um帯中赤外チャープパルス増幅システムを開発し,その飛躍的性能向上を実現することを目的とする.