Efficient Optical-Property Measurement of Extreme-Ultraviolet Lithography Materials Using High-Harmonics Interference

Research Project

Project/Area Number	24K03199
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 80040:Quantum beam science-related
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	石田行章東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任講師 (30442924)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥14,560,000 (Direct Cost: ¥11,200,000、Indirect Cost: ¥3,360,000) Fiscal Year 2026: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000) Fiscal Year 2025: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000) Fiscal Year 2024: ¥6,890,000 (Direct Cost: ¥5,300,000、Indirect Cost: ¥1,590,000)
Keywords	極紫外リソグラフィー / 高次高調波 / 干渉
Outline of Research at the Start	半導体チップに集積回路を書き込むために使われる光は短波長化の一途とたどり、遂に波長13.5nmの極紫外光（EUV）を用いた露光が実用化された。これに伴って、EUV露光に用いられるマスクやフォトレジスト材料のEUV域での光学特性評価が重要な課題になっている。本研究では、2重スリットと回折格子からなる干渉計を用いて、EUV光が薄膜材料を透過する際の透過率と位相の遅れを高精度で測定する手法を提案する。さらに、干渉波形をリアルタイムで解析する新手法を用いて、高効率かつ系統的な光学特性評価を実現する。13.5 nm域における薄膜材料の高効率光学測定を達成して半導体集積度の向上に寄与することを目指す。