円形加速器によるビーム直流加速のためのDC誘導加速セルの開発

• Project/Area Number: 24K03200
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 80040:Quantum beam science-related
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 長谷川 純 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (90302984)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高山 健 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, 名誉教授 (20163321) ; 由元 崇 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 特別助教 (40910641)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2026: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000); Fiscal Year 2025: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000); Fiscal Year 2024: ¥8,190,000 (Direct Cost: ¥6,300,000、Indirect Cost: ¥1,890,000)
• Keywords: 誘導加速 / パワー半導体スイッチング / ビーム直流加速

Outline of Research at the Start

本研究では，高周波円形加速器では従来不可能とされていた荷電粒子ビームの直流加速を実現するために，受動的な短絡・開放機能を持つ絶縁ギャップを組み込んだ誘導加速セル(DC加速セル)を開発する．従来の誘導加速セルをDC加速セルに改造し，動作特性試験を通じてビーム直流加速への適用可能性や技術的課題を明らかにする．