原子層物質におけるフェルミ端特異性の探索と光学応答の制御

Research Project

Project/Area Number	24K06917
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 13020:Semiconductors, optical properties of condensed matter and atomic physics-related
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	小山剛史名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20509070)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥260,000 (Direct Cost: ¥200,000、Indirect Cost: ¥60,000) Fiscal Year 2025: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2024: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Keywords	フェルミ端特異性 / 原子層物質
Outline of Research at the Start	電荷注入がなされた半導体や金属において、遷移先（元）の準位がフェルミ準位の近傍となる遷移では、励起される正孔（電子）がフェルミ準位近傍の多くの電子（正孔）と結合し、遷移強度の発散的な増大が起こり得ます。これをフェルミ端特異性とよびます。近年、単層グラフェンや単層遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子一層から数層程度からなる原子層物質を対象とした実験が広く行われるようになりました。本研究では、二次元性が極めて高い原子層物質においてフェルミ端特異性がどのくらい強く現れるのか、室温でも観測されるのか、について調べます。