How do carriers behave on the disorder-free CuO2 planes?:Understanding the electronic phase diagram of multilayer superconductors

Research Project

Project/Area Number	24K06965
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 13030:Magnetism, superconductivity and strongly correlated systems-related
Research Institution	Tokyo University of Science
Principal Investigator	常盤和靖東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 (60307709)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000) Fiscal Year 2025: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	多層型銅酸化物超伝導体 / 乱れのないCuO2面 / 電子相図
Outline of Research at the Start	銅酸化物超伝導体の高い温度での超伝導発現機構を解明するには，キャリア濃度と温度の関係性である電子相図の理解が重要である。特に、電子相関の強いモット絶縁体近傍の低キャリアドープ領域の理解が必要である。本研究は，従来の常識では絶縁体とされていた低ドープ領域でも良好な金属性を示す乱れの無いCuO2面を持つ頂点フッ素系多層型銅酸化物超伝導体の低ドープ領域の電子輸送特性を調査し，その電子相図解明するものである。