薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開

• Project/Area Number: 24K07078
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 15020:Experimental studies related to particle-, nuclear-, cosmic ray and astro-physics
• Research Institution: High Energy Accelerator Research Organization
• Principal Investigator: 橋本 義徳 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 主任技師 (10391749)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 青野 祐美 鹿児島大学, 理工学域工学系, 教授 (80531988) ; 岸村 浩明 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 准教授 (40535332) ; 佐藤 洋一 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 教授 (10537963)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2025: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2024: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: ビームハロー / 2次電子 / 薄膜半導体 / アモルファス窒化炭素薄膜 / 酸化チタン薄膜

Outline of Research at the Start

2次電子による高エネルギー量子ビーム（GeVクラス陽子や、100 MeV以上の重イオンなど）の検出において、2 ミクロン以下の厚みを目標としたアモルファス窒化炭素薄膜及び酸化チタン薄膜による薄膜半導体検出器を開発し、2次電子の検出効率を1000 倍程度以上に高める。2 ミクロン 以下などの厚みの検出器では、ビームはほとんどロスせずに通過することができるため準非破壊型検出器である。