高電圧印加界面顕微光応答法によるパワー素子用電極エッジの電界集中の2次元的解明

Research Project

Project/Area Number	24K07558
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	University of Fukui
Principal Investigator	塩島謙次福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (70432151)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	今林弘毅福井大学, 学術研究院工学系部門, 助教 (10906324)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	界面顕微光応答法 / ショットキー電極 / 電界集中 / ワイドバンドギャップ半導体 / ジャンクションバリアショットキーダイオード
Outline of Research at the Start	本研究課題では我々が独自に開発した金属／半導体界面の2次元評価法（界面顕微光応答法）を用いてショットキー電極に高電圧を印加した際に電極エッジで発生する電界集中を可視化することが目的である。本研究は（i）電極エッジ構造の評価、（ii）エネルギーバンドギャップの異なる半導体材料の評価、（iii）新規デバイス構造としてジャンクションバリアショットキーダイオード構造の評価、以上3つの観点から実験を行う。高電圧下における電極界面の電流鵜輸送機構の解明を行い、実用的にもパワーデバイスの高耐圧化、素子の設計に貢献することを目指す。