Formation of ultra-thin oxide films by high density radical

Research Project

Project/Area Number	24K07561
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Kyushu Institute of Technology
Principal Investigator	和泉亮九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (30223043)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2024: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Keywords	極薄酸化膜 / ラジカル
Outline of Research at the Start	本研究は60℃以下の低温でシリコンなどの半導体や各種金属を直接酸化し、nmオーダーの SiO2, GeO2, HfO2などの高品質絶縁膜を形成するための技術の確立、および、その形成メカニズムの解明を目的としている。ホットワイヤー化学気相堆積(Hot-Wire CVD：HWCVD）装置を用いて酸化ラジカルの生成を行い直接酸化する。従来、HWCVD 法ではその原理から酸化ラジカルの生成は困難であったが、水素で高希釈した水分を原料として用いる手法を取り入れることで実現する。