Single crystal growth of the transparent-oxide semiconductor and its unusual transport mechanism

Research Project

Project/Area Number	24K07563
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Tokyo University of Science
Principal Investigator	加瀬直樹東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 嘱託特別講師 (10613630)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2025: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2024: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Keywords	透明酸化物半導体 / 単結晶 / IGZO / フローティングゾーン法
Outline of Research at the Start	IGZOと呼ばれる透明酸化物半導体はその高い移動度と極めて低いリーク電流から注目されている。大型単結晶の育成が困難であり特徴的な物性の起源は未解明のままであったが、我々のグループにより初めて成功した。これまでの大型単結晶による測定結果からInO層の寄与が他の元素よりも大きいことを実験的に明らかにしたが、キャリアが増えるにつれて移動度が上昇する特性の起源などは明らかではない。本研究ではIGZOの伝導特性の起源の解明を目的とした単結晶育成とその物性測定を行う。さらに新たな高移動度を有する透明酸化物半導体の発見を目指した単結晶育成も行うことでIGZOの特異な移動度とキャリア密度の関係の解明を目指す。