自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現

Research Project

Project/Area Number	24K07564
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Hosei University
Principal Investigator	中村俊博法政大学, 理工学部, 教授 (90451715)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	越田信義東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (50143631)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2024: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	量子ドット
Outline of Research at the Start	Si量子ドットは、近年の半導体プロセス技術との高い親和性から発光デバイス・光電変換デバイス、スピン量子ビット、バイオ計測・医療など広い応用が期待されているが、その作製技術は収率・制御性・安定性の点で実用レベルに至っていない。そこで、Siのナノ構造化・量子ドット化・表面終端の全過程に自律形成機構を取り入れた高収率Si量子ドット形成法の開発を行う。陽極酸化法でSiウエハーから作製した多孔質Si層を有機溶媒中で低温加熱し、クラッキングと同時に表面が終端されたSi量子ドットを得る。本方法では、多孔質Siの際だった低熱伝導・低熱容量に起因した熱ストレスにより、クラッキング生成の効率化と安定化をねらう。