高性能ナノ結晶ダイヤモンド電極の金属基板上ダイレクト形成

Research Project

Project/Area Number	24K07570
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Ariake National College of Technology
Principal Investigator	原武嗣有明工業高等専門学校, 創造工学科, 教授 (20413867)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000) Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	ナノ結晶ダイヤモンド / 電気化学電極 / 金属基板
Outline of Research at the Start	申請者は、同軸型アークプラズマ蒸着（CAPD）法により、NCD膜を非加熱の低抵抗Si基板上で形成できることを見出した。非加熱での膜形成は、NCD膜の主な形成法である化学気相成長（CVD）法からすれば異例ともいえる。本手法が、CVD法の課題点の一つである膜と基板材料の熱膨張係数の差が残留応力となり生じる膜剥離を克服し、NCD膜を金属基板上にダイレクトに、すなわち直接形成できる技術になると考えている。さらに、Si基板上で形成したNCD膜が優れた電気化学特性を有することも確認している。本研究では、膜を金属基板上に直接形成できる基板表面の前処理技術の解明に挑み、膜の電気化学電極としての性能を明らかにする。