複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化

Research Project

Project/Area Number	24K07572
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Hirosaki University
Principal Investigator	遠田義晴弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20232986)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	SiC / 絶縁膜 / 気相励起 / 光電子分光
Outline of Research at the Start	本研究は、ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素による半導体集積回路の実用化を念頭に、高キャリア移動度・高耐久性を持つ高品質なSiC表面酸窒化膜形成を目指すものである。窒素添加による、界面欠陥密度の低減・キャリア移動度の向上に関する先行研究を基礎に、申請者が開発した複合気相励起法と「リアルタイム光電子分光その場観測」を組み合わせ、窒素添加による界面改善効果の物理・化学的起源を明らかにし、得られた知見に基づき理想的な酸窒化膜中の窒素プロファイルを実現しSiC酸窒化膜界面の欠陥準位低減を目指す。