テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究

Research Project

Project/Area Number	24K07580
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Tokyo University of Science
Principal Investigator	遠藤聡東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 客員教授 (60417110)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	藤代博記東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 (60339132)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000) Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	InAsSb / 量子井戸構造 / 量子ドット / 分子線エピタキシー法 / シミュレーション
Outline of Research at the Start	引張歪みInAsSbは電子の有効質量が最軽量、バンドギャップが最小となる可能性がある。このようなInAsSb量子ナノ構造として、変調ドープ量子井戸、多重量子井戸、量子ドットを分子線エピタキシー法により作製し、その物性を評価する。合わせて、シミュレーションを用いた物性予測による構造設計を行う。構造設計と実験は相互にフィードバックをかけて行い結晶の高特性化を目指す。量子井戸構造は高電子移動度トランジスタのチャネルに相当し、多重量子井戸構造は遠赤外発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)、量子ドット構造は中赤外LEDの高輝度化を目指している。