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テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究

Research Project

Project/Area Number 24K07580
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionTokyo University of Science

Principal Investigator

遠藤 聡  東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 客員教授 (60417110)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 藤代 博記  東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 (60339132)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000)
Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
KeywordsInAsSb / 量子井戸構造 / 量子ドット / 分子線エピタキシー法 / シミュレーション
Outline of Research at the Start

引張歪みInAsSbは電子の有効質量が最軽量、バンドギャップが最小となる可能性がある。このようなInAsSb量子ナノ構造として、変調ドープ量子井戸、多重量子井戸、量子ドットを分子線エピタキシー法により作製し、その物性を評価する。合わせて、シミュレーションを用いた物性予測による構造設計を行う。構造設計と実験は相互にフィードバックをかけて行い結晶の高特性化を目指す。
量子井戸構造は高電子移動度トランジスタのチャネルに相当し、多重量子井戸構造は遠赤外発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)、量子ドット構造は中赤外LEDの高輝度化を目指している。

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2024-06-24  

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