強誘電体薄膜上でのチエノチオフェン系薄膜の成長制御とメモリデバイス応用

• Project/Area Number: 24K07582
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Osaka Institute of Technology
• Principal Investigator: 廣芝 伸哉 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (40635190)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457) ; 小島 広孝 舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (70713634)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: 強誘電薄膜 / 有機デバイス / FET

Outline of Research at the Start

本研究では、チエノチオフェン系有機半導体としてDNTT，C8-BTBT，C10-DNTTの３種類について作製条件の探索、最適化を行う。Hf0.5Zr0.5O2上および比較としてSiO2上での薄膜形成過程を明らかにする。また、絶縁上での薄膜形成プロセスにMDシミュレーションを適応し、実験結果の比較により物理パラメータを決定する。
これらの知見を適応し再現性良くFeFETデバイス作製し、分子配向・結晶性と移動度、On-Off比などのデバイス特性、強誘電性とメモリ特性を比較する。このように系統的なデバイス評価を行い、今後のメモリデバイスとしての応用可能性を探る