半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明

• Project/Area Number: 24K07586
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 遠藤 和彦 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (60392594)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 徳増 崇 東北大学, 流体科学研究所, 教授 (10312662)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: 半導体 / 絶縁膜 / 酸化

Outline of Research at the Start

近年の半導体デバイスには、多数の半導体酸化物や金属酸化物が活用されており、酸化物の特性がデバイス性能の優劣を左右しているとともに、信頼性に関する諸問題を抱えている。これらの酸化物は、半導体や金属の酸化反応により形成されるため、普遍的な反応機構としての酸化反応の解明は学術的に重要であるとともに、酸化物の材料特性や界面特性を向上させるためには、そのメカニズム解明は重要な技術課題である。本研究では、半導体ゲルマニウムをモチーフに、酸化物形成の素過程を物理実験的に可視化するとともに、実験事実に基づいた計算機実験による予測と可視化を進める。