Si基板上へのInSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製と評価

Research Project

Project/Area Number	24K07589
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	University of Toyama
Principal Investigator	森雅之富山大学, 学術研究部工学系, 教授 (90303213)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2025: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2024: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Keywords	InSb / GaSb / MOSFET / 表面再構成制御成長法
Outline of Research at the Start	本研究の目的は、Si基板上へ直接成長したInSb系薄膜を用いた超高速・超低消費電力CMOSFETの実現である。このため、半導体表面に特殊な表面再構成構造を形成することにより、成長薄膜の面内回転を誘起して格子不整合を大幅に緩和するヘテロエピタキシャル成長法である。これにより可能となったInSb系極薄チャネル（≦10nm）のSi上への疑似格子整合成長が本提案の最も重要な基盤となる。すでに実証してきたAl2O3/InSb/Si QW-MOSFETの高性能化を検討するとともに、正孔移動度が高いGaSb系材料の特性を生かしたpMOSFETの実現により、Si基板上InSb系CMOSの実現を目指す。