多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究

Research Project

Project/Area Number	24K07603
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Akita University
Principal Investigator	佐藤祐一秋田大学, 理工学研究科, 准教授 (70215862)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	齋藤嘉一秋田大学, 理工学研究科, 教授 (10302259)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2025: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Keywords	半導体
Outline of Research at the Start	Ⅲ族窒化物半導体は高効率の光電変換特性を有するため、それを用いた高性能LEDが開発され広く利用されている。通常、これらはサイズが限定されるサファイアなどの単結晶基板上への単結晶形成により得られるが、導光板を用いるなどの疑似的な面状のデバイスは存在するものの、基本的には点状のデバイスに限られている。申請者らは鋳造法での作製による安価かつ基板面積に制限がほぼ無い多結晶Si基板を用いたGaN系ナノ柱状結晶群から成るLEDの形成に成功しており、ここでは多結晶Si基板上に形成されたGaN系結晶による、安価で高性能な新奇面状発光デバイスの開発を目的とした研究を実施する。