Development of precise voltage measurement techniques in extreme environments

Research Project

Project/Area Number	24K07616
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	松丸大樹国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究員 (30849146)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	丸山道隆国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (30415947)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2024: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Keywords	ジョセフソン効果 / 電圧標準 / 磁気シールド / 極低温 / 強磁場
Outline of Research at the Start	本研究の目的は、極低温・強磁場という極限環境下において超高精度な量子基準電圧源を実現する技術の開発である。極低温環境で多く活用される超伝導素子は、極低温に加え強磁場を用いることでより広範な実験が可能になるが、磁束の侵入が許されない性質との両立が大きな課題であった。本研究では、強磁場と隣接した環境下においても超伝導素子を用いた超高精度な基準電圧源・精密電圧計測を可能にするため、超伝導体/強磁性体を用いたハイブリット磁気シールド構造を提案し、これら課題の解決及び精密電気計測に関する新しい技術分野の確立を目指す。