フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の爆発的結晶化の変調機構解明

• Project/Area Number: 24K08096
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 26050:Material processing and microstructure control-related
• Research Institution: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: 大平 圭介 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (40396510)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2026: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000); Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000); Fiscal Year 2024: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
• Keywords: フラッシュランプアニール / 爆発的結晶化 / シリコン

Outline of Research at the Start

非晶質シリコン(a-Si)薄膜の横方向爆発的結晶化における、下地基板の凹凸およびa-Si膜へのドーピングの影響を解明する。以下の三点について明らかにする。
(1) 基板表面のモフォロジーと結晶化機構の関係解明
(2) PおよびBドーピングの結晶化機構への影響の解明
(3) 基板凹凸およびドーピングが多結晶Si膜の電気特性に与える影響の解明