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Development of imprinting technology based on ion implantation.

Research Project

Project/Area Number 24K08212
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 28030:Nanomaterials-related
Research InstitutionTokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute

Principal Investigator

小宮 一毅  地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部物理応用技術部電気技術グループ, 副主任研究員 (40578001)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 寺西 義一  地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部機能化学材料技術部プロセス技術グループ, 主任研究員 (50463055)
楊 明  東京都立大学, システムデザイン研究科, 教授 (90240142)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2025: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000)
Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Keywordsイオン注入法 / ナノインプリント / トランスファープリント
Outline of Research at the Start

100nm以下サイズのパターンの作製には、電子線露光装置や半導体で使用される深紫外線露光装置が用いられる。しかし、電子線露光装置は生産性が悪く、深紫外線露光装置は非常に装置が高価であるため一般的には加工が非常に難しい。そこで生産性に優れプロセスも容易であるインプリントを100nm以下のサイズにも応用することが検討されている。
本研究は、インプリント手法の一つであるトランスファプリント法で100nm以下サイズのパターンの作製を検討する。特にナノサイズのインプリントで問題となる転写時の離形性を向上のため金型にイオン注入法を用い離形性を向上させる方法を提案し、離形におけるイオン注入の影響とその効果を明らかにする。

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2024-06-24  

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