Development of Oxide-based Tunnel FET using p-type oxide semiconductor

Research Project

Project/Area Number	24K08254
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	簑原誠人国立研究開発法人産業技術総合研究所, 量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター, 主任研究員 (70728633)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	酸化物デバイス / トンネルFET
Outline of Research at the Start	次世代エレクトロニクス開発に不可欠な超低消費電力デバイスとして、p-n接合界面におけるバンド間トンネル電流を駆動源とするトンネル電界効果型トランジスタ（TFET）に着目する。n型酸化物半導体アモルファスIn-Ga-Zn-O（a-IGZO）をチャネル層とし、複数のスズ酸化物半導体を中心として、TFETの特性向上に資するp型酸化物半導体を選定、光電子分光法を用いてバンドオフセットを決定する。実験的に決定したバンドオフセット、界面急峻性などに基づいたデバイスシミュレーションを実施し、a-IGZO／p型酸化物半導体の物性値を最適化し、試作デバイスの作製・評価に取り組む。