二酸化スズ透明導電膜の新規パターニング・リサイクル技術の機構解明と精密制御

Research Project

Project/Area Number	24K08258
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute
Principal Investigator	小川大輔地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 技術支援本部技術支援部計測分析技術グループ, 副主任研究員 (80752740)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2025: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2024: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Keywords	二酸化スズ系透明導電膜 / ウェットプロセス / パターニング / リサイクル
Outline of Research at the Start	透明導電膜は、クリーンエネルギーの生産源（太陽電池）や、省エネルギーのデバイス（液晶パネル、発光ダイオード等）の透明電極に欠かせない材料です。現在最も普及している透明導電膜のITOは希少元素のインジウムを主成分としています。資源量豊富なスズを主成分とするSnO2系透明導電膜でITOを代替するため、ウェットプロセスでのパターニング・リサイクルを可能にする技術開発に取り組みます。