３Ｃ／４Ｈヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ製作

• Project/Area Number: 24K08267
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 佐藤 茂雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (10282013)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2026: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000); Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000); Fiscal Year 2024: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: ３Ｃ－ＳｉＣ / ４H－ＳｉＣ / 半導体ヘテロ構造 / パワーＭＯＳＦＥＴ / 界面構造制御

Outline of Research at the Start

4H-SiC基板上へのポリタイプヘテロエピタキシャル成長技術の活用により、適度な大きさのバンドギャップ（2.4 eV）と大きな電子親和力を合わせ持つ3C-SiCを用いたMOSダイオード製作とその電気特性評価に取り組み、MOS構造における4H-SiCに対する3C-SiCの優位性を明らかにする。さらに、3C-SiC部をチャネル、4H-SiC部をドリフト層とすることを特徴とする役割分担型の3C／4HハイブリッドSiC縦型MOSFETの製作と電気特性評価を行い、高チャネル移動度・長期安定性・高耐圧のすべてを兼ね備えるSiCパワートランジスタ実現への指針を得るものである。