Development of bond engineering descriptors and its application to widegap semiconductor crystal growth

Research Project

Project/Area Number	24K08268
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Mie University
Principal Investigator	秋山亨三重大学, 工学研究科, 准教授 (40362363)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Keywords	半導体表面 / 表面再構成
Outline of Research at the Start	本研究課題では、データ科学によるワイドギャップ半導体エピタキシャル成長制御指針の獲得に取り組む。省エネルギー社会の実現に寄与する窒化物半導体や酸化ガリウムといったワイドギャップ半導体材料を中心に取り扱い、データ科学において用いる記述子としてボンドエンジニアリング概念を考慮した記述子を開発する。さらに、ボンドエンジニアリング記述子を用いてエピタキシャル成長過程に対して機械学習および深層学習を適用し、エピタキシャル成長プロセスインフォマティクス手法を構築する。