Epitaxial growth of multinary compound semiconductors for new quantum systems

Research Project

Project/Area Number	24K08275
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	西永慈郎国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90454058)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2026: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2025: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2024: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Keywords	多元系化合物半導体 / 結晶成長 / 低温成長 / 量子井戸
Outline of Research at the Start	本研究は高純度金属およびプリカーサーを利用した多元系化合物半導体の低温成膜法の実証、および量子効果デバイスへの応用である。分子線エピタキシー(MBE)法もしくは原子層堆積（ALD）法を利用し、高精度の組成制御、高品質結晶成長の低温化を図り、急峻な多元系化合物半導体ヘテロ界面の作製法を確立させる。また、結晶品質・組成制御の改善を目指し、III族液相を介した多元系化合物半導体の結晶成長技術の構築を行う。