かさ高い置換基を利用した単層モリブデンジカルコゲニド膜孤立分散法の確立

Research Project

Project/Area Number	24K08379
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 33010:Structural organic chemistry and physical organic chemistry-related
Research Institution	University of Toyama
Principal Investigator	行本万里子富山大学, 学術研究部都市デザイン学系, 特命助教 (70822964)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	モリブデンジカルコゲニド / かさ高い置換基 / 剥離
Outline of Research at the Start	MoCh2は調整可能なバンドギャップ、高い電荷キャリア移動度など、優れた電気的特性をもつことから、そのナノシートは発光、太陽電池、ウェアラブル技術等に適した材料とされている。このMoCh2の特性を最大限に引き出すためには、高効率で単層膜を作成し利用する必要があるが、単層膜の作成には未だ課題が残されている。また、ファンデルワールス相互作用を利用した高分子複合材料としての活用が報告されている他、化学修飾を行うことによる半導体としての評価が行われているが、化学修飾に立体保護基を導入し単層膜の単離を試みた例はなく、本研究課題により新しい単層膜作成技術の確立を目的とする。