化学応力印加を利用した新Ni酸化物超伝導体の安定的合成法の確立

Research Project

Project/Area Number	24K08563
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
Research Institution	Yokohama National University
Principal Investigator	上原政智横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (60323929)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2025: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	層状Ni酸化物 / 層状ペロブスカイトNi酸化物 / 超伝導
Outline of Research at the Start	(Nd0.8Sr0.2)NiO2（超伝導転移温度：Tc = 9～15 K ）は常圧下で最高のTc を持つ銅酸化物高温超伝導体( HTSC ) と結晶・電子構造が極めて類似した初の非銅酸化物超伝導体である。超伝導は薄膜でのみ生じ、超伝導を示すバルク体の合成が熱望されている。本研究では(R1-xAx)NiO2 (R=希土類元素、A=Ca, Sr)において、(R1-xAx)の平均イオン半径の違いによる化学応力印加により薄膜に近い状況を再現する(R1-xAx)イオン組合せを見出し、超伝導を示すバルク体の合成を目指す。バルク体を用いる事でHTSCとの詳細な比較研究が可能となり、未だコンセンサスを得ていないHTSCの発現機構解明に決定的な寄与をするであろう。