酸水素化物半導体表面の化学活性に関する基礎的検討

Research Project

Project/Area Number	24K08573
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	鈴木拓国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究センター, 主席研究員 (60354354)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	飯村壮史国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究センター, グループリーダー (80717934)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2024: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Keywords	酸水素化物表面
Outline of Research at the Start	①　表面水素イオンの状態の解明ルチルTiO2単結晶の表面に取り込まれた水素イオンの構造を、低速ERDAで明らかにする。試料の作製（水素化）には、パルスジェットによる水素照射とプラズマ照射を用いる。試料の面方位と水素化の条件を系統的に変化させ、表面ヒドリドが形成される条件を見出す。 ②　表面ヒドリドによる水素化反応の解明 TiO2単結晶を用いて、水素化による生成物（ギ酸、水素化物）をパルスジェット-TOF-SIMSを用いて分子イオンとして検出することで、反応経路を解明する。TiO2に加え、分担者により合成されたヒドリドイオン伝導体についても検討する。