欠陥導入と仕事関数制御による溶液法IGZOオゾンセンサーおよびダイオードの作製

Research Project

Project/Area Number	24K08576
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
Research Institution	防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
Principal Investigator	森本貴明防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 准教授 (70754795)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	石井啓介防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 教授 (30257208)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2029-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000) Fiscal Year 2028: ¥130,000 (Direct Cost: ¥100,000、Indirect Cost: ¥30,000) Fiscal Year 2027: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2024: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	IGZO / オゾン / ガスセンサー / ショットキー接触 / 酸化物半導体
Outline of Research at the Start	溶液法によるフレキシブル半導体回路の作製技術確立には、主要部品であるトランジスタの他、種々の機能素子が必要となる。本研究では、オゾンセンサーと電源供給のためのダイオードを低温焼成IGZOで形成する技術を、以下の方針により確立する。 (1) IGZO-TFTオゾンセンサーで、すでに5ppmのオゾンを検出可能であるが、実用濃度の1ppmを検出可能とすべく高感度化する。 (2) センサーの繰り返し使用のためにオゾンの影響を元に戻す「回復動作」が光照射で起こる機構を解明する。 (3) IGZOと金の間がショットキー接触となることを利用しフレキシブルデバイスへの電源供給に必要なダイオードの作製を試みる。