磁気抵抗メモリ応用に向けた酸化物界面を用いた室温におけるスピン流電流変換の実証

Research Project

Project/Area Number	24K17303
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Hiroshima University
Principal Investigator	武田崇仁広島大学, 先進理工系科学研究科(理), 助教 (00985327)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2025: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2024: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	2次元電子ガス / 界面 / スピントロニクス
Outline of Research at the Start	本研究では磁気抵抗メモリでも特に消費電力が小さく、動作速度や耐久性にも優れているスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)の実現に向けた研究の提案を行う。SOT-MRAMでは、スピン軌道相互作用を介して電流をスピン流に変換して磁化の向きを変えるため、スピン流と電流の変換効率を高めることでより消費電力の少ないSOT-MRAMを実現できる。近年、エピタキシャル成長による高品質ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合素子において、低温において高効率のスピン流-電流変換を達成された。そこで、本研究では高品質ペロブスカイト型酸化物薄膜利用した室温における世界最高効率のスピン流-電流変換の実現を目指す。