電子デバイス応用に向けた絶縁体/酸化ガリウム界面欠陥の定量と制御

Research Project

Project/Area Number	24K17308
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Kyoto Institute of Technology
Principal Investigator	鐘ケ江一孝京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 助教 (30962435)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000) Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	酸化ガリウム / 半導体パワーデバイス / MIS構造 / 欠陥準位
Outline of Research at the Start	次世代半導体電子デバイスへの応用が期待されている酸化ガリウムは、デバイスの一部実用化が始まっているものの、基礎物性に関する知見が欠如しており、物性限界を引き出したデバイスの実現には至っていない。本研究では、電子デバイスの基本構造である金属-絶縁体-半導体構造に着目し、デバイス特性に大きな影響を及ぼす「絶縁体」・「絶縁体/酸化ガリウム界面」・「酸化ガリウム」に存在する欠陥準位について、系統的かつ詳細な研究により学術的理解を深め、欠陥準位の制御方法の検討へ展開する。本研究で得られた知見は、酸化ガリウムが有する優れた物性を最大限に引き出したデバイス作製を可能にし、省エネルギー社会の実現に貢献する。