SiC両極性素子におけるキャリア注入層の構造と電気特性の相関解明およびモデル化

• Project/Area Number: 24K17315
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Central Research Institute of Electric Power Industry
• Principal Investigator: 浅田 聡志 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 主任研究員 (70870509)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2025: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000); Fiscal Year 2024: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
• Keywords: SiC / PiNダイオード / スイッチング特性 / 点欠陥

Outline of Research at the Start

基本的なバイポーラデバイスであるPiNダイオードを対象とし、キャリア注入層におけるキャリア寿命分布や膜厚、点欠陥密度分布などと、デバイス特性との相関を系統的なシミュレーション解析により明らかにする。得られた知見に基づき、キャリア注入層に局所的に点欠陥を導入した新規デバイス構造を設計して作製し、トレードオフ関係にある導通損とスイッチング損を同時低減するとともに、キャリア注入層中の点欠陥のモデルを構築する。