Research Project
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ダイヤモンドはそのスピン軌道相互作用の小ささから半導体スピントロニクスの基盤材料として期待されているが、スピントロニクスデバイス動作に必須であるダイヤモンド中へのスピン流生成は未だ報告されていない。半導体中へのスピン流生成には高い電子密度が必要となるが、ダイヤモンドはそのバンドギャップの大きさ及びドナー準位の深さから十分な電子密度が得られないことが問題であった。そこで本研究ではリンドープn型ダイヤモンドに光照射を行うことで電子密度増強を起こし、ダイヤモンドスピントロニクスデバイスの実現に向けた技術開発を目指す。