機能磁性材料ホイスラレンの創生と電子構造の解明

Research Project

Project/Area Number	24K17614
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	Hiroshima University
Principal Investigator	角田一樹広島大学, 放射光科学研究所, 特任助教 (20882369)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2026: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2025: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2024: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Keywords	ホイスラー合金 / ワイル磁性体 / 分子線エピタキシー / ホイスラレン / スピン・角度分解光電子分光
Outline of Research at the Start	ホイスラー合金は、構成元素の組み合わせにより多彩な性質を示す機能性材料である。本研究では、三次元ホイスラー合金を極限まで薄くした二次元ホイスラレンを新たに創生し、低次元化による新奇物性の開拓および物理特性の増強を試みる。特に、ホイスラレンのトポロジカル物性に着目し、膜厚に依存したフェルミ準位近傍の微細電子構造を高分解能スピン・角度分解光電子分光によって実験的に解明する。