Construction of a Ion Conduction Switching System Comparable to Transister by Multi-external Stimuli

Research Project

Project/Area Number	24K17693
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 34010:Inorganic/coordination chemistry-related
Research Institution	Japan Advanced Institute of Science and Technology
Principal Investigator	青木健太郎北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (00963810)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2025: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2024: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	イオン伝導度スイッチング / トランジスタ / 光応答 / 電場応答 / メモリスタ
Outline of Research at the Start	本研究では、光および電位応答性部位を付与した多重外場応答性金属錯体を構築する。この錯体への光および電位印加によりイオン伝導度への協奏的作用を誘起し、トランジスタに匹敵する10^6のイオン伝導度のオン・オフ比を実現する。さらに、外場印加下の結晶構造変化やイオンの易動度、キャリア密度変化を追跡してイオン伝導度スイッチングの機構を解明する。本研究を契機として、イオン伝導度スイッチング材料の設計指針を確立し、イオンを媒体とした新規素子開発へ展開する。