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電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製

Research Project

Project/Area Number 24K17753
Research Category

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

辻 昌武  東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 特任助教 (20981765)

Project Period (FY) 2024-04-01 – 2026-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2025: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Keywords点欠陥 / 薄膜 / 光電変換 / 材料
Outline of Research at the Start

本研究では、高効率光電変換素子の創製に向けて、電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索を試みる。結晶中の空隙や表面はゼオライトのように分子の反応場として研究されてきた。最近では空隙に電子を収容した小さな仕事関数を持つ触媒設計や、半導体分野ではドーピングが困難な物質に対しての化学ドーピングなど、電子活性な反応場としての空隙の利用が注目されている。本研究では近年注目されている低温プロセスで作製可能なハロゲン化物を基調としたELデバイスにおける、発光特性とキャリア注入特性のトレードオフ関係を打破すべく、発光中心が局在化した結晶構造と価電子帯のバンド分散を両立する材料の開発を目指す。

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2024-06-24  

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