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低速陽電子ビームのグラフェン透過によるエネルギー可変ポジトロニウムビームの生成

Research Project

Project/Area Number 24K21038
Research Category

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Basic Section 80040:Quantum beam science-related
Research InstitutionTokyo University of Science

Principal Investigator

佐田 雄飛  東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 助教 (50981156)

Project Period (FY) 2024-04-01 – 2026-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords陽電子 / ポジトロニウム / グラフェン / ビーム物理
Outline of Research at the Start

電子1個と陽電子1個が束縛したポジトロニウム(Ps)のエネルギー可変ビームを生成する方法として、低速陽電子と気体分子を衝突させて電荷交換によって生成する方法と、ポジトロニウム負イオンを生成・加速した後に光脱離させる方法の2つが開発されてきた。しかし、前者はPsビームの生成に気体分子を用いるため超高真空下で使用できず、後者はPsのエネルギーが1 keV以上でないと十分な強度が得られないため、各々ビームの可能性が制限される。そこで、気体分子をグラフェンに代替し、超高真空対応かつ低エネルギー範囲(数eV - 数100 eV)でも十分な強度をもつ、新たなエネルギー可変Psビームの生成を目指す。

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2024-06-24  

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