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Realization of Si-Ge integrated broadband X-ray gamma-ray and optical-infrared imaging devices using Japan's original Surface-Activated wafer Bonding technology

Research Project

Project/Area Number 24K21554
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Medium-sized Section 16:Astronomy and related fields
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

鶴 剛  京都大学, 理学研究科, 教授 (10243007)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 和田 武彦  国立天文台, JASMINEプロジェクト, 准教授 (50312202)
松前 貴司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10807431)
鈴木 仁研  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授 (30534599)
Project Period (FY) 2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2025: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000)
Keywordsゲルマニウム撮像素子 / 異種半導体常温接合 / X線撮像素子 / 赤外線撮像素子
Outline of Research at the Start

SiとGeの半導体結晶の接合技術「常温SAB」を用いて,0.5-100keVの広帯域X線・ガンマ線と,0.3-1.8μmの可視光・近赤外線を一気に観測可能な「Si-Ge一体型撮像素子」を開発する.Geの検出部でX線・ガンマ線および可視光・近赤外線それぞれの波長で観測帯域が広げつつ,Si回路層で低雑音や小さいピクセルを実現する.初年度は「(1)暗電流抑制」の観点で開発する.2年度は「(2)信号電荷損失の抑制」を行う.以上から撮像素子として最適なSi-Ge接合プロセスを開発し,期間内に(A)赤外線撮像と(B)光子計数型X線撮像分光を実現する.

URL: 

Published: 2024-07-03   Modified: 2024-08-28  

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