Ultimate semiconductor photoelectric conversion

Research Project

Project/Area Number	24K21601
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Hokkaido University
Principal Investigator	石川史太郎北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (60456994)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000) Fiscal Year 2025: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000) Fiscal Year 2024: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000)
Keywords	化合物半導体 / ナノワイヤ / 光電変換 / シリコン
Outline of Research at the Start	独自のシリコン基板上化合物半導体GaAs系ヘテロ構造ナノワイヤ群を用いて従来の極限を打ち破る半導体光電変換効率実現を目指す。具体的には、シリコン基板全面に合成したナノワイヤ群の光散乱・吸収により～100%の太陽光を吸収し、さらに、直接遷移バンド構造で物質中最高峰の光電変換効率を有するGaAs系高品質ヘテロ構造ナノワイヤで吸収光を輸送キャリアに変換する。これをとおして、新機構・構造・材料による究極の半導体光電変換を実現する。