Creation of Lateral Heterojunction Bipolar Transistors by Selective Growth in SiO2 Cavities

Research Project

Project/Area Number	24K21606
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	宮本恭幸東京工業大学, 工学院, 教授 (40209953)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000) Fiscal Year 2025: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000) Fiscal Year 2024: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords	InGaAs / ラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタ / 選択成長
Outline of Research at the Start	単結晶の種を持つSiO2の微小空洞内への選択成長時において組成の切り替えにより作製した横型のヘテロ接合を伴ったnpn構造によるラテラルヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する。この構造では、高速化のための寄生容量低減のために必要なエミッタ層とコレクタ層の幅が同じにでき、さらにエミッタ幅の極小化がリソグラフィにより限定される限界も打破でき、高速性においては、いまだMOSFETなどに比べて優れた素質を持つ化合物半導体HBTの形成時の問題点を解決することができる。