Creation of Photonically-Driven High-Electron-Mobility Transistor Amplifiers

Research Project

Project/Area Number	24K21613
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	佐藤昭東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70510410)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000) Fiscal Year 2025: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000) Fiscal Year 2024: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords	光電変換 / 光電融合 / UTC-PD / HEMT
Outline of Research at the Start	従来の電圧駆動電子デバイスとは一線を画する、光ファイバから伝送される1.5μm帯赤外光を直接吸収することで駆動する光駆動電子デバイスのデバイス論体系の創出を目指し、単一走行キャリア・フォトダイオードを一体集積させた高電子移動度トランジスタにおける増幅動作の実証と、二次元絶縁体格子導波モード共鳴構造の導入による光電変換効率と最大入力光強度の向上の効果を明らかにすることを目的とする。これまでの「電圧駆動」を前提とした電子デバイス論体系とは全く異なる、「光駆動」を前提とした新たな電子デバイス論体系の創出と、従来の光電変換器ではなし得ない究極の高効率化が期待できる。