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次世代高集積省エネルギー相変化メモリに向けた準一次元vdW構造型相変化材料の開拓

Research Project

Project/Area Number 24K21668
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

双 逸  東北大学, 材料科学高等研究所, 助教 (10962144)

Project Period (FY) 2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2024: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Keywords相変化材料 / 1Dファンデルワールス / 相変化メモリ / 省エネルギー
Outline of Research at the Start

実用相変化材料(PCM)にはGe-Sb-Te化合物薄膜(GST)が用いられており、低抵抗を有する結晶と高抵抗を有するアモルファスの相変化には電気パルスによるジュール加熱が利用される。しかし、アモルファス化に高いジュールエネルギーが必要とされるなど課題を残している。また、GSTの結晶化温度は160℃と低くアモルファス相の熱的安定性に乏しいため、微細メモリ構造にも課題を残す。本研究で提案する準一次元ファンデルワールス(1D-vdW)型PCMは従来のPCMの枠を超え、MoTe2に代表される二次元物質より更に次元を一段下げるだけではなく、大幅に融点が低いため、超高集積・超大容量化・省エネといった次世代NVMの諸問題を一気に解決できる。

URL: 

Published: 2024-07-03   Modified: 2024-08-28  

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