Development and device demonstration of new ultra-widegap oxide semiconductors beyond the conventional design roule

Research Project

Project/Area Number	24K21671
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	片瀬貴義東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 准教授 (90648388)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000) Fiscal Year 2025: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000) Fiscal Year 2024: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords	半導体 / 薄膜 / 新材料開発 / ドーピング
Outline of Research at the Start	電力利用の拡大に伴い、高電圧・大電力制御が可能な高耐圧パワーデバイスの需要が高まっている。パワーデバイスの高耐圧化には、バンドギャップ（Eg）がより大きな半導体材料が必要であるが、従来のドーピング経験則ではEg>5eVの超ワイドギャップ酸化物は半導体化できないと考えられていた。本研究では、超ワイドギャップ酸化物の新規ドーピング手法を開発し、Eg>5eVの新パワー半導体材料の開拓と既存材料の性能を凌駕するパワーデバイスの実証に挑戦する。