原子膜技術による次世代パワー半導体の開発

• Project/Area Number: 24K21712
• Research Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 山本 瑛祐 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (60827781)
• Project Period (FY): 2024-06-28 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000); Fiscal Year 2025: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000); Fiscal Year 2024: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000)
• Keywords: ナノシート / 酸化ガリウム

Outline of Research at the Start

次世代パワー半導体の開発はマテリアル革新力強化の重要なターゲットであり、高耐圧化が求められる車載・産業用途、高速動作が求められる通信機器用途など、Eco-Society 5.0の実現に欠かせない。こうした新材料として酸化ガリウムが注目されており、SiC、GaNに次ぐ第３世代の重要なターゲットである。本研究では、申請者が最近開発した固体界面活性剤鋳型法を活用して、２次元材料技術との融合による酸化ガリウム原子膜の合成を狙い、SiC、GaNやダイヤモンドを凌駕する半導体の開発を行う。