Vertical-Ge-nanowire-based spin devices

Research Project

Project/Area Number	24K21736
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
Research Institution	Tokyo City University
Principal Investigator	山田道洋東京都市大学, 理工学部, 准教授 (50778529)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	冨岡克広北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000) Fiscal Year 2025: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000) Fiscal Year 2024: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Keywords	ゲルマニウム / 半導体スピントロニクス / ナノワイヤ
Outline of Research at the Start	スピンMOSFETは，低消費電力次世代半導体デバイスとして期待されているが，従来研究では横型スピンMOSFETの報告のみであり，スピン伝導チャネルが長く室温での低性能，高抵抗電極や高集積化の観点でさらなる発展が必要とされていた．本研究では縦型Geナノワイヤチャネルという革新的構造を用いることで，従来のバルク横型チャネルでは困難な室温高性能動作と高密度化の問題を克服する縦型Geナノワイヤスピンデバイスの創製を目指す．具体的には(1)位置制御Geナノワイヤの作製とドーピング技術の確立，(2) 縦型Geナノワイヤスピンデバイスプロセスの開発，(3)ナノワイヤ構造におけるスピン伝導特性の評価を行う．