室温で巨大磁気抵抗を発現するアモルファス磁性酸化物半導体の探索

Research Project

Project/Area Number	24K21805
Research Category	Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Medium-sized Section 36:Inorganic materials chemistry, energy-related chemistry, and related fields
Research Institution	University of Yamanashi
Principal Investigator	柳博山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30361794)
Project Period (FY)	2024-06-28 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000) Fiscal Year 2026: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000) Fiscal Year 2025: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000) Fiscal Year 2024: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	巨大磁気抵抗 / 磁性半導体 / アモルファス酸化物半導体
Outline of Research at the Start	a-IGZOに代表されるアモルファス酸化物半導体は低温で高品質薄膜が大面積基板上に作製できるなど数々の優れた点を有することから工業的にも成功している半導体材料である。本研究ではアモルファス半導体においてホッピング伝導する電子のスピン情報がその伝導過程で維持されるとの報告に着目。アモルファス酸化物半導体中に磁性元素を導入することで「磁性元素のスピン」、「アモルファス構造由来の局在準位のスピン」、「これらを結びつける伝導電子のスピン」の相互作用により巨大磁気抵抗を発現する新規磁性半導体の開拓を行う。