Gain Cell DRAMを活用する超省エネルギーコンピューティング基盤の創出

• Project/Area Number: 24K22292
• Research Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Medium-sized Section 60:Information science, computer engineering, and related fields
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 石原 亨 名古屋大学, 情報学研究科, 教授 (30323471)
• Project Period (FY): 2024-06-28 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000); Fiscal Year 2025: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000); Fiscal Year 2024: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
• Keywords: 集積回路設計技術 / 低消費設計技術

Outline of Research at the Start

本研究は、Gain-Cell-DRAM（以下、GC-DRAM）と呼ばれる低電圧動作可能DRAMの積極活用により、近似演算器と大容量メモリをチップ内の近傍に集積し、現状の低エネルギー限界を突破する省エネルギー計算基盤を構築するものである。GC-DRAMは、完全ロジックプロセス互換であるため、通常のDRAMより製造コストが低くSRAMのおよそ半分の面積で実装できる。また、従来型SRAMは構造上、低電圧動作が難しいが、GC-DRAMは広い電圧範囲での安定動作が可能である。本研究では、しきい値電圧近傍の低い電源電圧でチップ全体を動作させる技術を確立することにより超省エネルギー計算基盤を創出する。