低電流密度・高輝度赤色マイクロLED加工のためのAlGaInP加工特性に関する研究

Research Project

Project/Area Number	24K22948
Research Category	Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	0302:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	大堀大介東北大学, 流体科学研究所, 助教 (00839293)
Project Period (FY)	2024-07-31 – 2026-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000) Fiscal Year 2025: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2024: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Keywords	赤色マイクロLED / トップダウン加工
Outline of Research at the Start	数マイクロm程度に加工されたマイクロLEDデバイスは、VR/ARディスプレイ向けの次世代ディスプレイ素子として注目されている。このマイクロLED素子は、低電流密度動作・高精細・高輝度な赤青緑の光の三原色が要求されている。とりわけ、赤色マイクロLEDの発光強度の向上が必要とされており、マイクロLEDへの加工過程で生じる加工界面欠陥によって内部量子効率の低下が生じるため、低電流密度における発光効率が著しく低下する問題がある。そこで本研究では、赤色LEDで用いるAlGaInPのトップダウン加工時に生ずる加工界面欠陥に着目し、欠陥生成抑制による赤色マイクロLEDの低電流密度の高輝度化を試みる。